买卖IC网 >> 产品目录43521 >> BSD316SN L6327 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363 datasheet 分离式半导体产品
型号：

BSD316SN L6327

库存数量：3,000
制造商：Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT-363
RoHS：无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
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产品变化通告 Product Discontinuation 30/Nov/2011
产品目录绘图 Mosfet SOT-363 Dual
标准包装 3,000
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 160 毫欧 @ 1.4A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2V @ 3.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 94pF @ 15V
功率 - 最大 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装 PG-SOT363-6
包装 带卷 (TR)
其它名称 BSD316SN L6327-ND
BSD316SN L6327INTR
SP000442462
相关资料
属性
链接
代理商 BSD316SN L6327
BSD316SNL6327
BSD816SN
BSD816SN L6327
BSD816SNH6327XTSA1
BSD816SNL6327
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  • BSD316SN L6327 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    3,000 0.08544 256.32